Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

ZXMD63C03XTC

ZXMD63C03XTC

Nur als Referenz

Teilenummer ZXMD63C03XTC
PNEDA Teilenummer ZXMD63C03XTC
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis
1 ---------- $1,7105
250 ---------- $1,6303
500 ---------- $1,5501
1.000 ---------- $1,4699
2.500 ---------- $1,4031
5.000 ---------- $1,3363
Auf Lager 392
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 10 - Jun 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ZXMD63C03XTC Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXMD63C03XTC
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ZXMD63C03XTC, ZXMD63C03XTC Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 1.002,96 KB)
PDFZXMD63C03XTC Datenblatt Cover
ZXMD63C03XTC Datenblatt Seite 2 ZXMD63C03XTC Datenblatt Seite 3 ZXMD63C03XTC Datenblatt Seite 4 ZXMD63C03XTC Datenblatt Seite 5 ZXMD63C03XTC Datenblatt Seite 6 ZXMD63C03XTC Datenblatt Seite 7 ZXMD63C03XTC Datenblatt Seite 8 ZXMD63C03XTC Datenblatt Seite 9 ZXMD63C03XTC Datenblatt Seite 10 ZXMD63C03XTC Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • ZXMD63C03XTC Datasheet
  • where to find ZXMD63C03XTC
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated ZXMD63C03XTC
  • ZXMD63C03XTC PDF Datasheet
  • ZXMD63C03XTC Stock

  • ZXMD63C03XTC Pinout
  • Datasheet ZXMD63C03XTC
  • ZXMD63C03XTC Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • ZXMD63C03XTC Price
  • ZXMD63C03XTC Distributor

ZXMD63C03XTC Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Rds On (Max) @ Id, Vgs135mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds290pF @ 25V
Leistung - max1.04W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Lieferantengerätepaket8-MSOP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SSM6P15FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.7V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

9.1pF @ 3V

Leistung - max

200mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

US6

SI9933CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

ZXMHC10A07T8TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A, 800mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

138pF @ 60V

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-223-8

Lieferantengerätepaket

SM8

CSD75208W1015

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 P-Channel (Dual) Common Source

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

68mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 10V

Leistung - max

750mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UFBGA, DSBGA

Lieferantengerätepaket

6-DSBGA

NVMFD5877NLT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Leistung - max

3.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Kürzlich verkauft

S6010RTP

S6010RTP

Littelfuse

SCR SENS 600V 10A TO220

HSMS-2812-TR1

HSMS-2812-TR1

Broadcom

RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3

PIC16HV753-I/P

PIC16HV753-I/P

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 14DIP

LNJ208R8ARA

LNJ208R8ARA

Panasonic Electronic Components

LED RED SS TYPE LED SMD

ADP2384ACPZN-R7

ADP2384ACPZN-R7

Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 4A 24LFCSP

IR2214SSTRPBF

IR2214SSTRPBF

Infineon Technologies

IC DVR HALF BRIDGE IC 24SSOP

FDD8880

FDD8880

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 160V 0.6A SOT23

B350B-13-F

B350B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 50V 3A SMB

LTM8074IY#PBF

LTM8074IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG BUCK ADJ 1.2A 25BGA

RS1MB-13-F

RS1MB-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 1KV 1A SMB

CDBHD1100L-G

CDBHD1100L-G

Comchip Technology

BRIDGE RECT 1P 100V 1A MINI-DIP