ZXMD63P02XTC
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| Teilenummer | ZXMD63P02XTC |
| PNEDA Teilenummer | ZXMD63P02XTC |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.632 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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ZXMD63P02XTC Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXMD63P02XTC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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ZXMD63P02XTC Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.25nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 15V |
| Leistung - max | 1.04W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-MSOP |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 188pF @ 10V Leistung - max 650mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket SOT-26 |
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