Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

ZXMHC6A07T8TA

ZXMHC6A07T8TA

Nur als Referenz

Teilenummer ZXMHC6A07T8TA
PNEDA Teilenummer ZXMHC6A07T8TA
Beschreibung MOSFET 2N/2P-CH 60V SM8
Hersteller Diodes Incorporated
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 42.420
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ZXMHC6A07T8TA Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZXMHC6A07T8TA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
ZXMHC6A07T8TA, ZXMHC6A07T8TA Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 882,16 KB)
PDFZXMHC6A07T8TA Datenblatt Cover
ZXMHC6A07T8TA Datenblatt Seite 2 ZXMHC6A07T8TA Datenblatt Seite 3 ZXMHC6A07T8TA Datenblatt Seite 4 ZXMHC6A07T8TA Datenblatt Seite 5 ZXMHC6A07T8TA Datenblatt Seite 6 ZXMHC6A07T8TA Datenblatt Seite 7 ZXMHC6A07T8TA Datenblatt Seite 8 ZXMHC6A07T8TA Datenblatt Seite 9 ZXMHC6A07T8TA Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • ZXMHC6A07T8TA Datasheet
  • where to find ZXMHC6A07T8TA
  • Diodes Incorporated

  • Diodes Incorporated ZXMHC6A07T8TA
  • ZXMHC6A07T8TA PDF Datasheet
  • ZXMHC6A07T8TA Stock

  • ZXMHC6A07T8TA Pinout
  • Datasheet ZXMHC6A07T8TA
  • ZXMHC6A07T8TA Supplier

  • Diodes Incorporated Distributor
  • ZXMHC6A07T8TA Price
  • ZXMHC6A07T8TA Distributor

ZXMHC6A07T8TA Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
FET-Typ2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.6A, 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds166pF @ 40V
Leistung - max1.3W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-223-8
LieferantengerätepaketSM8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SH8K4TB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

NTLGD3502NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A, 3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

480pF @ 10V

Leistung - max

1.74W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-DFN (3x3)

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

APTM50AM19STG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

170A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 85A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

492nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

22400pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP4

Lieferantengerätepaket

SP4

NTZD3156CT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

540mA, 430mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

72pF @ 16V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

Kürzlich verkauft

USBLC6-2SC6

USBLC6-2SC6

STMicroelectronics

TVS DIODE 5.25V 17V SOT23-6

3224W-1-203E

3224W-1-203E

Bourns

TRIMMER 20K OHM 0.25W J LEAD TOP

CY62126EV30LL-45ZSXI

CY62126EV30LL-45ZSXI

Cypress Semiconductor

IC SRAM 1M PARALLEL 44TSOP II

ACPL-C78A-000E

ACPL-C78A-000E

Broadcom

IC OPAMP ISOLATION 1 CIRC 8SSO

MCP42050-E/SL

MCP42050-E/SL

Microchip Technology

IC DGTL POT 50KOHM 256TAP 14SOIC

ST3485EBDR

ST3485EBDR

STMicroelectronics

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SO

SD103AW-E3-08

SD103AW-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V SOD123

NR4018T4R7M

NR4018T4R7M

Taiyo Yuden

FIXED IND 4.7UH 1.2A 108 MOHM

MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR

MTFC8GLWDQ-3M AIT Z TR

Micron Technology Inc.

IC FLASH 64G MMC 100LBGA

PIC18F46K20-I/PT

PIC18F46K20-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44TQFP

CDSOD323-T24C

CDSOD323-T24C

Bourns

TVS DIODE 24V 56V SOD323

ISL6269CRZ

ISL6269CRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CTRLR BUCK 16QFN