ZXT13P12DE6TC
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| Teilenummer | ZXT13P12DE6TC |
| PNEDA Teilenummer | ZXT13P12DE6TC |
| Beschreibung | TRANS PNP 12V 4A SOT23-6 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.642 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 27 - Jun 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ZXT13P12DE6TC Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXT13P12DE6TC |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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ZXT13P12DE6TC Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 4A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 175mV @ 400mA, 4A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 300 @ 1A, 2V |
| Leistung - max | 1.1W |
| Frequenz - Übergang | 55MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-6 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 150mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1A, 1V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 60MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PW-MOLD |
