ZXTP2012A
Nur als Referenz
| Teilenummer | ZXTP2012A |
| PNEDA Teilenummer | ZXTP2012A |
| Beschreibung | TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3 |
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 44.814 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 13 - Jun 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ZXTP2012A Ressourcen
| Marke | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ZXTP2012A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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ZXTP2012A Technische Daten
| Hersteller | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 3.5A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 210mV @ 400mA, 4A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 20nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 1V |
| Leistung - max | 1W |
| Frequenz - Übergang | 120MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN - Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100µA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10000 @ 100mA, 5V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 170MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89-3 |
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