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Renesas Electronics America Transistoren - JFETs

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KategorieHalbleiter / Transistoren / Transistoren - JFETs
HerstellerRenesas Electronics America
Datensätze 4
Seite 1/1
Bild
Teilenummer
Hersteller
Beschreibung
Auf Lager
Menge
Serie
FET-Typ
Spannungsdurchschlag (V (BR) GSS)
Drain to Source Voltage (Vdss)
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
Stromaufnahme (Id) - max
Spannungsabschaltung (VGS aus) @ Id
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds
Widerstand - RDS (Ein)
Leistung - max
Betriebstemperatur
Montagetyp
Paket / Fall
Lieferantengerätepaket
2SK1070PICTL-E
Renesas Electronics America
JFET N-CH MPAK
2.033
-
N-Channel
22V
-
12mA @ 5V
50mA
0V @ 10µA
9pF @ 5V
-
150mW
150°C
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
3-MPAK
2SK1070PIDTL-E
Renesas Electronics America
JFET N-CH MPAK
8.622
-
N-Channel
22V
-
12mA @ 5V
50mA
0V @ 10µA
9pF @ 5V
-
150mW
150°C
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
3-MPAK
2SK1070PIETL-E
Renesas Electronics America
JFET N-CH MPAK
5.670
-
N-Channel
22V
-
12mA @ 5V
50mA
0V @ 10µA
9pF @ 5V
-
150mW
150°C
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
3-MPAK
2SK1070PIETR-E
Renesas Electronics America
JFET N-CH MPAK
8.676
-
N-Channel
22V
-
12mA @ 5V
50mA
0V @ 10µA
9pF @ 5V
-
150mW
150°C
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
3-MPAK