Dioden & Gleichrichter

HT16G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

• Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 1A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 75ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: 10pF @ 4V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: T-18, Axial
• Lieferantengerätepaket: TS-1
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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HT17G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

• Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 800V
• Current - Average Rectified (Io): 1A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 75ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 800V
• Kapazität @ Vr, F.: 10pF @ 4V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: T-18, Axial
• Lieferantengerätepaket: TS-1
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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HT17G A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

• Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 800V
• Current - Average Rectified (Io): 1A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 75ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 800V
• Kapazität @ Vr, F.: 10pF @ 4V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: T-18, Axial
• Lieferantengerätepaket: TS-1
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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HT17G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

• Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 800V
• Current - Average Rectified (Io): 1A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 75ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 800V
• Kapazität @ Vr, F.: 10pF @ 4V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: T-18, Axial
• Lieferantengerätepaket: TS-1
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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HT18G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 1A TS-1

• Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): -
• Current - Average Rectified (Io): 1A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 75ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 1000V
• Kapazität @ Vr, F.: 10pF @ 4V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: T-18, Axial
• Lieferantengerätepaket: TS-1
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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HT18G A1G

Taiwan Semiconductor Corporation

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 1A TS-1

• Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): -
• Current - Average Rectified (Io): 1A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 75ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 1000V
• Kapazität @ Vr, F.: 10pF @ 4V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: T-18, Axial
• Lieferantengerätepaket: TS-1
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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HT18G R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 1A TS-1

• Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): -
• Current - Average Rectified (Io): 1A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 75ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 5µA @ 1000V
• Kapazität @ Vr, F.: 10pF @ 4V, 1MHz
• Montagetyp: Through Hole
• Paket / Fall: T-18, Axial
• Lieferantengerätepaket: TS-1
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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HU10260

Microsemi

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 600V 100A HALFPAK

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 100A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 90ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 50µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: 275pF @ 10V, 1Mhz
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: HALF-PAK
• Lieferantengerätepaket: HALF-PAK
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -

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HU10260R

Microsemi

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 600V 100A HALFPAK

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Diodentyp: Standard, Reverse Polarity
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 100A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 100A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 90ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 50µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: 275pF @ 10V, 1Mhz
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: HALF-PAK
• Lieferantengerätepaket: HALF-PAK
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -

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HU20260

Microsemi

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 600V 200A HALFPAK

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 200A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 200A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 130ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 50µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: HALF-PAK
• Lieferantengerätepaket: HALF-PAK
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -

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HU20260R

Microsemi

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 600V 200A HALFPAK

• Hersteller: Microsemi Corporation
• Serie: -
• Diodentyp: Standard, Reverse Polarity
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 200A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 200A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 130ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 50µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Chassis Mount
• Paket / Fall: HALF-PAK
• Lieferantengerätepaket: HALF-PAK
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -

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IDB06S60C

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: CoolSiC™+
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 6A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 80µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: 280pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Lieferantengerätepaket: D2PAK
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C

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IDB06S60CATMA2

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-3-2

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: CoolSiC™+
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 6A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 6A
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 80µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: 280pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3-2
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -

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IDB09E60ATMA1

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 19.3A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 9A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 75ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 50µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C

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IDB10S60C

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE SILICON 600V 10A D2PAK

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: CoolSiC™+
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 10A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 140µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: 480pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Lieferantengerätepaket: D2PAK
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C

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IDB10S60CATMA2

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: CoolSiC™+
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 10A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 10A
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 140µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: 480pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Lieferantengerätepaket: D2PAK
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C

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IDB12E120ATMA1

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 1200V
• Current - Average Rectified (Io): 28A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 12A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 150ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 100µA @ 1200V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3-2
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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IDB15E60

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 29.2A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 15A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 87ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 50µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C

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IDB15E60ATMA1

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 29.2A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 15A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 87ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 50µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -40°C ~ 175°C

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IDB18E120ATMA1

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 1200V
• Current - Average Rectified (Io): 31A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 18A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 195ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 100µA @ 1200V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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IDB23E60ATMA1

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 41A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 23A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 120ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 50µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3-2
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C

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IDB30E120ATMA1

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 1200V
• Current - Average Rectified (Io): 50A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.15V @ 30A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 243ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 100µA @ 1200V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 150°C

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IDB30E60ATMA1

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 52.3A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 30A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 126ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 50µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3-2
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -40°C ~ 175°C

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IDB45E60ATMA1

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 71A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2V @ 45A
• Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 140ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 50µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• Lieferantengerätepaket: PG-TO263-3
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C

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IDC04S60CEX1SA1

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE SIC 600V 4A SAWN WAFER

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: CoolSiC™+
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 4A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 50µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: 130pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: Die
• Lieferantengerätepaket: Die
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C

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IDC04S60CEX7SA1

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURPOSE SAWN WAFER

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: *
• Diodentyp: -
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): -
• Current - Average Rectified (Io): -
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: -
• Geschwindigkeit: -
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: -
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: Die
• Lieferantengerätepaket: Sawn on foil
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -

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IDC05S120C5X1SA1

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

IC DIODE EMITTER CTLR WAFER

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: -
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): -
• Current - Average Rectified (Io): -
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: -
• Geschwindigkeit: -
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: -
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: Die
• Lieferantengerätepaket: Sawn on foil
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -

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IDC05S60CEX1SA1

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE SIC 600V 5A SAWN WAFER

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: CoolSiC™+
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 600V
• Current - Average Rectified (Io): 5A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 5A
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 70µA @ 600V
• Kapazität @ Vr, F.: 240pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: Die
• Lieferantengerätepaket: Die
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C

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IDC08D120T6MX1SA2

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE GEN PURP 1.2KV 10A WAFER

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: -
• Diodentyp: Standard
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 1200V
• Current - Average Rectified (Io): 10A
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.05V @ 10A
• Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): -
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 2.7µA @ 1200V
• Kapazität @ Vr, F.: -
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: Die
• Lieferantengerätepaket: Sawn on foil
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -40°C ~ 175°C

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IDC08S120EX1SA3

Infineon Technologies

Gleichrichter - Single

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 7.5A WAFER

• Hersteller: Infineon Technologies
• Serie: CoolSiC™+
• Diodentyp: Silicon Carbide Schottky
• Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.): 1200V
• Current - Average Rectified (Io): 7.5A (DC)
• Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 7.5A
• Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io)
• Reverse Recovery Time (trr): 0ns
• Strom - Umkehrleckage @ Vr: 180µA @ 1200V
• Kapazität @ Vr, F.: 380pF @ 1V, 1MHz
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: Die
• Lieferantengerätepaket: Sawn on foil
• Betriebstemperatur - Verbindungsstelle: -55°C ~ 175°C

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