Speicher-ICs

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MT47H64M16HR-3 IT:H TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager2.250
MT47H64M16HR-3 L:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager3.888
MT47H64M16HR-3 L:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager2.682
MT47H64M16HR-3 L:H TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager4.572
MT47H64M16HW-3:H Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager8.118
MT47H64M16HW-3 IT:H Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager413
MT47H64M16NF-187E:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 350ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager2.736
MT47H64M16NF-25E AAT:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager5.004
MT47H64M16NF-25E AAT:M TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager2.988
MT47H64M16NF-25E AIT:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager7.434
MT47H64M16NF-25E AIT:M TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager3.456
MT47H64M16NF-25E AUT:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 400MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager7.038
MT47H64M16NF-25E AUT:M TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager3.526
MT47H64M16NF-25E IT:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager8.010
MT47H64M16NF-25E IT:M TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager4.284
MT47H64M16NF-25E:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager17.745
MT47H64M16NF-25E:M TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager6.300
MT47H64M16NF-25E XIT:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager5.958
MT47H64M16NF-25E XIT:M TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR2 1G 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (64M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (8x12.5)	Auf Lager8.604
MT47H64M16U88BWC1 Micron Technology Inc.	Speicher DDR2 1G DIE 64MX16 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.910
MT47H64M4BP-37E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (64M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 267MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 500ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12)	Auf Lager6.012
MT47H64M4BP-37E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 256Mb (64M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 267MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 500ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x12)	Auf Lager3.436
MT47H64M8B6-25:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager5.148
MT47H64M8B6-25E:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager5.148
MT47H64M8B6-25E IT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager5.976
MT47H64M8B6-25E L:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager3.400
MT47H64M8B6-37E:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 267MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 500ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager7.614
MT47H64M8B6-37E IT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 267MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 500ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager8.946
MT47H64M8B6-3:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager8.262
MT47H64M8B6-3 IT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager8.604

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