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MT48LC32M8A2P-6A:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager2.574
MT48LC32M8A2P-6A:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.271
MT48LC32M8A2P-6A:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager18.144
MT48LC32M8A2P-6A IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager5.341
MT48LC32M8A2P-6A IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager6.354
MT48LC32M8A2P-75:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager2.358
MT48LC32M8A2P-75:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager5.274
MT48LC32M8A2P-75 IT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager2.718
MT48LC32M8A2P-75 IT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.852
MT48LC32M8A2P-75 L:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager8.118
MT48LC32M8A2P-75 L:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager2.100
MT48LC32M8A2P-7E:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager8.712
MT48LC32M8A2P-7E:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager8.712
MT48LC32M8A2P-7E:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager6.948
MT48LC32M8A2P-7E:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager8.172
MT48LC32M8A2TG-6A:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager8.874
MT48LC32M8A2TG-75:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager6.354
MT48LC32M8A2TG-75 IT:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager2.142
MT48LC32M8A2TG-75 IT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager7.272
MT48LC32M8A2TG-75 L:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager8.172
MT48LC32M8A2TG-7E:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.204
MT48LC32M8A2TG-7E L:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager6.300
MT48LC4M16A2B4-6A IT:J Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager7.152
MT48LC4M16A2B4-6A IT:J TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager5.922
MT48LC4M16A2B4-6A:J Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager7.380
MT48LC4M16A2B4-6A:J TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 167MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager7.434
MT48LC4M16A2B4-75 IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager3.654
MT48LC4M16A2B4-7E:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager2.232
MT48LC4M16A2B4-7E:J Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager3.798
MT48LC4M16A2B4-7E:J TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 14ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager4.338

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