Speicher-ICs

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MT48V8M16LFB4-8:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager6.390
MT48V8M16LFB4-8 IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager6.012
MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager2.070
MT48V8M16LFB4-8 XT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -20°C ~ 75°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager6.696
MT48V8M16LFB4-8 XT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -20°C ~ 75°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager2.736
MT48V8M16LFF4-10:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager7.074
MT48V8M16LFF4-10 IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager2.160
MT48V8M16LFF4-8:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager6.408
MT48V8M16LFF4-8:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager7.902
MT48V8M16LFF4-8 IT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager3.600
MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager2.898
MT48V8M16LFF4-8 XT:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -20°C ~ 75°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager6.912
MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 128Mb (8M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -20°C ~ 75°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-VFBGA Lieferantengerätepaket: 54-VFBGA (8x8)	Auf Lager4.932
MT48V8M32LFB5-10 Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager6.192
MT48V8M32LFB5-10 IT Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager8.928
MT48V8M32LFB5-10 IT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager6.156
MT48V8M32LFB5-10 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager7.956
MT48V8M32LFB5-8 IT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager5.130
MT48V8M32LFB5-8 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager5.832
MT48V8M32LFF5-10 Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager2.466
MT48V8M32LFF5-10 IT Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager5.274
MT48V8M32LFF5-10 IT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager8.028
MT48V8M32LFF5-10 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager4.518
MT48V8M32LFF5-8 Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager5.724
MT48V8M32LFF5-8 IT Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager3.276
MT48V8M32LFF5-8 IT TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager5.652
MT48V8M32LFF5-8 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPSDR Speichergröße: 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 125MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 7ns Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 90-VFBGA Lieferantengerätepaket: 90-VFBGA (8x13)	Auf Lager3.996
MT49H16M16FM-5 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 256Mb (16M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager4.428
MT49H16M18BM-18:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager6.552
MT49H16M18BM-25:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (16M x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager7.848

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