Speicher-ICs

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MT49H8M36BM-25E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager7.956
MT49H8M36BM-25E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager7.992
MT49H8M36BM-25 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager2.448
MT49H8M36BM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager6.930
MT49H8M36BM-33:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager7.182
MT49H8M36BM-33:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager8.388
MT49H8M36BM-33 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager267
MT49H8M36BM-33 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager4.104
MT49H8M36BM-33 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager5.886
MT49H8M36BM-5:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager5.328
MT49H8M36BM-TI:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager2.484
MT49H8M36BM-TI:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager5.130
MT49H8M36FM-25:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager2.070
MT49H8M36FM-25:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager4.194
MT49H8M36FM-25 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager4.446
MT49H8M36FM-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager7.092
MT49H8M36FM-25 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager5.724
MT49H8M36FM-33:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager8.244
MT49H8M36FM-33 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 300MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-XFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager3.096
MT49H8M36FM-5 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144UBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-XFBGA Lieferantengerätepaket: 144-µBGA (18.5x11)	Auf Lager6.408
MT49H8M36SJ-25:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager6.354
MT49H8M36SJ-25:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager8.604
MT49H8M36SJ-25E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager5.580
MT49H8M36SJ-25E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 15ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager4.140
MT49H8M36SJ-25 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager6.120
MT49H8M36SJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager3.114
MT49H8M36SJ-5:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager3.618
MT49H8M36SJ-TI:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager8.388
MT49H8M36SJ-TI:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 288M PARALLEL 144FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: DRAM Speichergröße: 288Mb (8M x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 144-TFBGA Lieferantengerätepaket: 144-FBGA (18.5x11)	Auf Lager7.524
MT51J256M32HF-50:A Micron Technology Inc.	Speicher IC GDDR5 8G 256MX32 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: RAM Technologie: SGRAM - GDDR5 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 170-TFBGA Lieferantengerätepaket: 170-FBGA (12x14)	Auf Lager2.412

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