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MT53D2048M32D8QD-062 WT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64G 1600MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 64Gb (2G x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.654
MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 64Gb (2G x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.516
MT53D2048M32D8QD-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 64G 1600MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 64Gb (2G x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1600MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.686
MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (256M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.372
MT53D256M16D1NY-046 XT ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (256M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.428
MT53D256M64D4KA-046 XT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (256M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.492
MT53D256M64D4KA-046 XT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (256M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.020
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (256M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.268
MT53D256M64D4KA-046 XT:ES B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (256M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.084
MT53D256M64D4NY-046 XT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (256M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.302
MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (256M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.208
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (256M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.380
MT53D256M64D4NY-046 XT ES:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 16G 2133MHZ FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 16Gb (256M x 64) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.766
MT53D2DADS-DC Micron Technology Inc.	Speicher SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.866
MT53D2DADS-DC TR Micron Technology Inc.	Speicher SPECIAL/CUSTOM LPDDR4 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.272
MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.670
MT53D2G32D8QD-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.492
MT53D2G32D8QD-053 WT ES:E Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.688
MT53D2G32D8QD-053 WT ES:E TR Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.878
MT53D2G32D8QD-062 WT:D Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.256
MT53D2G32D8QD-062 WT:D TR Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.662
MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.694
MT53D2G32D8QD-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 64G 2GX32 FBGA 8DP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.496
MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 6G 384MX16 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.058
MT53D384M16D1NP-046 XT ES:D TR Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 6G 384MX16 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.010
MT53D384M16D1NY-046 XT ES:D Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 6G 384MX16 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.802
MT53D384M16D1Z1AMWC1 Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 6G DIE 384MX16 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.068
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager4.140
MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager3.762
MT53D384M32D2DS-046 AIT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 12G 2133MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 200-WFBGA Lieferantengerätepaket: 200-WFBGA (10x14.5)	Auf Lager3.580

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