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MT53E256M16D1DS-046 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.862
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.192
MT53E256M32D2DS-046 AAT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.364
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.184
MT53E256M32D2DS-046 AIT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.392
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.822
MT53E256M32D2DS-046 AUT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.562
MT53E256M32D2DS-046 IT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.096
MT53E256M32D2DS-046 IT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.856
MT53E256M32D2DS-053 AAT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.736
MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 105°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.286
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.420
MT53E256M32D2DS-053 AIT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.446
MT53E256M32D2DS-053 AUT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.134
MT53E256M32D2DS-053 AUT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.256
MT53E256M32D2DS-053 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.772
MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 8Gb (256M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 1.866GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.100
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.348
MT53E256M64D4NZ-053 WT:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 WFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.264
MT53E2G32D4DT-046 AAT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.082
MT53E2G32D4DT-046 AAT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.488
MT53E2G32D4DT-046 AIT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.766
MT53E2G32D4DT-046 AIT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.322
MT53E2G32D4DT-046 WT:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.864
MT53E2G32D4DT-046 WT:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.048
MT53E2G32D8QD-046 WT:E Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 64G 2GX32 FBGA WT 8DP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.914
MT53E2G32D8QD-046 WT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 64G 2GX32 FBGA WT 8DP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.358
MT53E2G32D8QD-053 WT:E Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 64G 2GX32 FBGA WT 8DP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.446
MT53E2G32D8QD-053 WT:E TR Micron Technology Inc.	Speicher LPDDR4 64G 2GX32 FBGA WT 8DP Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.184
MT53E384M32D2DS-046 AAT:E Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM LPDDR4 FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR4 Speichergröße: 12Gb (384M x 32) Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: 2.133GHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 0.6V, 1.1V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.858

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