Speicher-ICs

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71V65703S85PFG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager5.256
71V65703S85PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager6.930
71V65703S85PFGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager6.318
71V65703S85PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager7.056
71V65803S100BG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager6.966
71V65803S100BG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager7.812
71V65803S100BGG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager7.218
71V65803S100BGG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager6.228
71V65803S100BGGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager2.916
71V65803S100BGGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager2.286
71V65803S100BGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager7.668
71V65803S100BGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager7.632
71V65803S100BQ IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager7.398
71V65803S100BQG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager3.384
71V65803S100BQG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager5.598
71V65803S100BQI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager8.532
71V65803S100PFG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager2.340
71V65803S100PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager6.066
71V65803S100PFGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager5.094
71V65803S100PFGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager8.298
71V65803S133BG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager6.660
71V65803S133BG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager8.208
71V65803S133BGG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager3.580
71V65803S133BGG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager8.046
71V65803S133BGGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager5.328
71V65803S133BGGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager3.654
71V65803S133BGI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager3.312
71V65803S133BGI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager7.884
71V65803S133BQ IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager6.462
71V65803S133BQG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager6.642

71V65703S85PFG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager5.256

71V65703S85PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager6.930

71V65703S85PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager6.318

71V65703S85PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager7.056

71V65803S100BG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager6.966

71V65803S100BG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager7.812

71V65803S100BGG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager7.218

71V65803S100BGG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager6.228

71V65803S100BGGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager2.916

71V65803S100BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager2.286

71V65803S100BGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager7.668

71V65803S100BGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager7.632

71V65803S100BQ

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager7.398

71V65803S100BQG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager3.384

71V65803S100BQG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager5.598

71V65803S100BQI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager8.532

71V65803S100PFG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager2.340

71V65803S100PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager6.066

71V65803S100PFGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager5.094

71V65803S100PFGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager8.298

71V65803S133BG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager6.660

71V65803S133BG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager8.208

71V65803S133BGG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager3.580

71V65803S133BGG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager8.046

71V65803S133BGGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager5.328

71V65803S133BGGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager3.654

71V65803S133BGI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager3.312

71V65803S133BGI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager7.884

71V65803S133BQ

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager6.462

71V65803S133BQG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager6.642

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