Speicher-ICs

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AS4C32M32MD2A-25BCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 134FBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -30°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-VFBGA Lieferantengerätepaket: 134-FBGA (10x11.5)	Auf Lager5.778
AS4C32M32MD2A-25BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 1G 32MX32 LPDDR2 134-BGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - Mobile LPDDR2 Speichergröße: 1Gb (32M x 32) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.14V ~ 1.95V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 134-VFBGA Lieferantengerätepaket: 134-FBGA (10x11.5)	Auf Lager8.802
AS4C32M8D1-5TCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager5.526
AS4C32M8D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager7.434
AS4C32M8D1-5TIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager5.724
AS4C32M8D1-5TINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager4.482
AS4C32M8SA-6TIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager7.668
AS4C32M8SA-6TINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager2.160
AS4C32M8SA-7TCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager5.832
AS4C32M8SA-7TCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 256Mb (32M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5.5ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.454
AS4C4M16D1-5TCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager8.694
AS4C4M16D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager8.928
AS4C4M16D1-5TIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager2.304
AS4C4M16D1-5TINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager8.532
AS4C4M16D1A-5TAN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager8.136
AS4C4M16D1A-5TANTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager3.870
AS4C4M16D1A-5TCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager15.774
AS4C4M16D1A-5TCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager6.606
AS4C4M16D1A-5TIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager6.804
AS4C4M16D1A-5TINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 700ps Spannung - Versorgung: 2.3V ~ 2.7V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 66-TSOP II	Auf Lager6.660
AS4C4M16S-6BIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager6.624
AS4C4M16S-6BINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TFBGA Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)	Auf Lager3.492
AS4C4M16S-6TAN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager5.850
AS4C4M16S-6TANTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: Automotive, AEC-Q100 Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager6.156
AS4C4M16S-6TCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager6.444
AS4C4M16S-6TCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager3.600
AS4C4M16S-6TIN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager6.930
AS4C4M16S-6TINTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager7.794
AS4C4M16S-7TCN Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager2.251
AS4C4M16S-7TCNTR Alliance Memory, Inc.	Speicher IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Hersteller: Alliance Memory, Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM Speichergröße: 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 2ns Zugriffszeit: 5.4ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II	Auf Lager2.952

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