Speicher-ICs

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Cypress Semiconductor

Speicher

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 167MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.4ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (15x17)

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CY7C1470V25-200AXC

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IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (15x17)

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IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (15x17)

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IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
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IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
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IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 167MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.4ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 167MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.4ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
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• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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• Taktfrequenz: 167MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.4ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
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• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
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• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 167MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.4ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
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• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 167MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.4ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
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• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (15x17)

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• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.4ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
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• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 167MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3.4ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
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• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
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• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
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• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 200MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 3ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (15x17)

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IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (15x17)

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• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (15x17)

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• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 165-LBGA
• Lieferantengerätepaket: 165-FBGA (15x17)

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IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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IC SRAM 72M PARALLEL 100TQFP

• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.375V ~ 2.625V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 117MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 7.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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• Hersteller: Cypress Semiconductor Corp
• Serie: NoBL™
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: SRAM
• Technologie: SRAM - Synchronous, SDR
• Speichergröße: 72Mb (2M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6.5ns
• Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 100-LQFP
• Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x20)

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