Speicher-ICs

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IDT71V65603S100PFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager4.680
IDT71V65603S100PFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager7.488
IDT71V65603S133PF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager8.388
IDT71V65603S133PF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager4.986
IDT71V65603S133PFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager4.410
IDT71V65603S133PFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager2.412
IDT71V65603S150PF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager2.700
IDT71V65603S150PF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager8.172
IDT71V65603S150PFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager4.500
IDT71V65603S150PFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 150MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 3.8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager6.444
IDT71V65603ZS133PF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager3.330
IDT71V65603ZS133PF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 4.2ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager3.580
IDT71V65703S75PF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager3.636
IDT71V65703S75PF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 7.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager3.186
IDT71V65703S80PF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager3.888
IDT71V65703S80PF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager5.922
IDT71V65703S80PFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager3.654
IDT71V65703S80PFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager6.858
IDT71V65703S85PF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager1.174
IDT71V65703S85PF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager8.406
IDT71V65703S85PFI IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager3.258
IDT71V65703S85PFI8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (256K x 36) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 8.5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager2.016
IDT71V65802S100BG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager4.266
IDT71V65802S100BG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 119-BGA Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)	Auf Lager7.722
IDT71V65802S100BQ IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager6.930
IDT71V65802S100BQ8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 165-TBGA Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)	Auf Lager7.272
IDT71V65802S100PF IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager6.498
IDT71V65802S100PF8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager7.560
IDT71V65802S100PFG IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager2.034
IDT71V65802S100PFG8 IDT, Integrated Device Technology	Speicher IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße: 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 100MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: 5ns Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 100-LQFP Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)	Auf Lager8.946

IDT71V65603S100PFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager4.680

IDT71V65603S100PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager7.488

IDT71V65603S133PF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager8.388

IDT71V65603S133PF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager4.986

IDT71V65603S133PFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager4.410

IDT71V65603S133PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager2.412

IDT71V65603S150PF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager2.700

IDT71V65603S150PF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager8.172

IDT71V65603S150PFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
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IDT71V65603S150PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 150MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 3.8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

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IDT71V65603ZS133PF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

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IDT71V65603ZS133PF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 4.2ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

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IDT71V65703S75PF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

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IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 7.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

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IDT71V65703S80PF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

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IDT71V65703S80PF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

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IDT71V65703S80PFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager3.654

IDT71V65703S80PFI8

IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager6.858

IDT71V65703S85PF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager1.174

IDT71V65703S85PF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager8.406

IDT71V65703S85PFI

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager3.258

IDT71V65703S85PFI8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (256K x 36)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: -
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 8.5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager2.016

IDT71V65802S100BG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager4.266

IDT71V65802S100BG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 119-BGA
Lieferantengerätepaket: 119-PBGA (14x22)

Auf Lager7.722

IDT71V65802S100BQ

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager6.930

IDT71V65802S100BQ8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 165-TBGA
Lieferantengerätepaket: 165-CABGA (13x15)

Auf Lager7.272

IDT71V65802S100PF

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager6.498

IDT71V65802S100PF8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager7.560

IDT71V65802S100PFG

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

Auf Lager2.034

IDT71V65802S100PFG8

IDT, Integrated Device Technology

Speicher

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

Hersteller: IDT, Integrated Device Technology Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: SRAM
Technologie: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße: 9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 100MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
Zugriffszeit: 5ns
Spannung - Versorgung: 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 100-LQFP
Lieferantengerätepaket: 100-TQFP (14x14)

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