Speicher-ICs

IS39LV512-70JCE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC FLASH 512K PARALLEL 32PLCC

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NOR
• Speichergröße: 512Kb (64K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns
• Zugriffszeit: 70ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 32-LCC (J-Lead)
• Lieferantengerätepaket: 32-PLCC (11.43x13.97)

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IS39LV512-70VCE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC FLASH 512K PARALLEL 32VSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH - NOR
• Speichergröße: 512Kb (64K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns
• Zugriffszeit: 70ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 32-VSOP

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IS41C16100C-50KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 42-SOJ

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IS41C16100C-50KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 42-SOJ

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IS41C16100C-50TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
• Lieferantengerätepaket: 50/44-TSOP II

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IS41C16100C-50TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 85ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
• Lieferantengerätepaket: 50/44-TSOP II

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IS41C16100C-50TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IS41C16100C-50TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IS41C16100D-50KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 84ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 42-SOJ

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IS41C16105C-50KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - FP
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 42-SOJ

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IS41C16105C-50KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - FP
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 42-SOJ

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IS41C16105C-50TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - FP
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 84ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
• Lieferantengerätepaket: 50/44-TSOP II

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IS41C16105C-50TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - FP
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 84ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
• Lieferantengerätepaket: 50/44-TSOP II

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IS41C16105C-50TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - FP
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IS41C16105C-50TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 54TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - FP
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II

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IS41C16105D-50KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 84ns
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 42-SOJ

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IS41C16256C-35TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4M PARALLEL 40TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 18ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 40 Leads
• Lieferantengerätepaket: 40-TSOP

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IS41C16256C-35TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4M PARALLEL 40TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 18ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 40 Leads
• Lieferantengerätepaket: 40-TSOP

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IS41C16257C-35TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4M PARALLEL 40TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - FP
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 18ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 40 Leads
• Lieferantengerätepaket: 40-TSOP

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IS41C16257C-35TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4M PARALLEL 40TSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - FP
• Speichergröße: 4Mb (256K x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 18ns
• Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 40 Leads
• Lieferantengerätepaket: 40-TSOP

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IS41LV16100B-50KL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 42-SOJ

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IS41LV16100B-50KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 42-SOJ

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IS41LV16100B-50KLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 42-SOJ

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IS41LV16100B-50KL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 42-SOJ

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IS41LV16100B-50TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS41LV16100B-50TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS41LV16100B-50TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS41LV16100B-50TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 44TSOP II

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 25ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II

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IS41LV16100B-60KL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 30ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 42-SOJ

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IS41LV16100B-60KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 16M PARALLEL 42SOJ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM - EDO
• Speichergröße: 16Mb (1M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: -
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 30ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 42-SOJ

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