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Speicher-ICs

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
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IC DRAM 256M PARALLEL 166MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 166MHZ

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
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  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager8.209
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
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  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager5.220
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager5.382
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager6.246
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager4.957
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager2.322
IS42S16160J-7BL-TR
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager5.130
IS42S16160J-7TL
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager1.626
IS42S16160J-7TLI
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager22.290
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IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager6.678
IS42S16160J-7TL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager5.166
IS42S16320B-6BL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-WBGA (11x13)
Auf Lager2.100
IS42S16320B-6BLI
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Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-WBGA (11x13)
Auf Lager3.366
IS42S16320B-6BLI-TR
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Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-WBGA (11x13)
Auf Lager8.118
IS42S16320B-6BL-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 54WBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-WBGA (11x13)
Auf Lager5.994
IS42S16320B-6TL
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager3.870
IS42S16320B-6TLI
IS42S16320B-6TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager387
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IS42S16320B-6TLI-TR

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Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager4.986
IS42S16320B-6TL-TR
IS42S16320B-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager5.274
IS42S16320B-75ETL
IS42S16320B-75ETL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
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IS42S16320B-75ETLI
IS42S16320B-75ETLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 512Mb (32M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 54-TSOP II
Auf Lager1.449