Speicher-ICs

IS42SM16800H-75BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IS42SM16800H-75BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IS42SM16800H-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IS42SM16800H-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IS42SM32100C-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 32Mb (1M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IS42SM32100C-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 32Mb (1M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IS42SM32100D-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 32Mb (1M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IS42SM32100D-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 32M PARALLEL 54TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 32Mb (1M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 54-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)

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IS42SM32160C-75BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)

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IS42SM32160C-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)

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IS42SM32160C-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)

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IS42SM32160C-75BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)

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IS42SM32160C-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)

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IS42SM32160C-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.4ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-LFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-WBGA (8x13)

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IS42SM32160E-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS42SM32160E-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS42SM32160E-75BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS42SM32160E-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS42SM32160E-75BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS42SM32160E-75BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 512Mb (16M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS42SM32200K-6BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS42SM32200K-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS42SM32200K-75BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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IS42SM32200M-6BLI

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Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 64Mb (2M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 133MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 6ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: SDRAM - Mobile
• Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 166MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 5.5ns
• Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 90-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)

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