Speicher-ICs

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IS43TR16256A-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager3.402
IS43TR16256AL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager4.014
IS43TR16256AL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager3.510
IS43TR16256AL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager3.996
IS43TR16256AL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager5.760
IS43TR16256AL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager13.856
IS43TR16256AL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager2.806
IS43TR16256AL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager4.532
IS43TR16256AL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.722
IS43TR16256AL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager5.544
IS43TR16256AL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager23.997
IS43TR16256AL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager4.644
IS43TR16256AL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager4.248
IS43TR16256B-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher 4G 1.5V DDR3 256MX16 1866MT 96 B Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager8.190
IS43TR16256B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher 4G 1.5V DDR3 256MX16 1600MT 96 B Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager8.820
IS43TR16256B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher 4G 1.5V DDR3 256MX16 1600MT 96 B Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager8.100
IS43TR16256BL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher 4G 1.35V DDR3 256MX16 1866MT 96 Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager8.946
IS43TR16256BL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher 4G 1.35V DDR3 256MX16 1866MT 96 Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 933MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager7.776
IS43TR16256BL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher 4G 1.35V DDR3L 256MX16 1600MT 96 Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager8.226
IS43TR16256BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher 4G 1.35V DDR3L 256MX16 1600MT 96 Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 4Gb (256M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-TFBGA Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)	Auf Lager2.356
IS43TR16512A-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-LFBGA Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)	Auf Lager8.808
IS43TR16512A-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-LFBGA Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)	Auf Lager7.392
IS43TR16512A-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-LFBGA Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)	Auf Lager7.488
IS43TR16512A-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-LFBGA Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)	Auf Lager6.300
IS43TR16512A-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-LFBGA Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)	Auf Lager4.338
IS43TR16512A-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-LFBGA Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)	Auf Lager3.420
IS43TR16512A-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-LFBGA Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)	Auf Lager5.256
IS43TR16512A-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3 Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 667MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-LFBGA Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)	Auf Lager8.388
IS43TR16512AL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-LFBGA Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)	Auf Lager281
IS43TR16512AL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	Speicher IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR3L Speichergröße: 8Gb (512M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 800MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 20ns Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 96-LFBGA Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)	Auf Lager1.405

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager3.402

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager4.014

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager3.510

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Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager3.996

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Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager5.760

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Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager13.856

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Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager2.806

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Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager4.532

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Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager7.722

IS43TR16256AL-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager5.544

IS43TR16256AL-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager23.997

IS43TR16256AL-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager4.644

IS43TR16256AL-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 4G PARALLEL 96TWBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager4.248

IS43TR16256B-107MBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

4G 1.5V DDR3 256MX16 1866MT 96 B

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager8.190

IS43TR16256B-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

4G 1.5V DDR3 256MX16 1600MT 96 B

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager8.820

IS43TR16256B-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

4G 1.5V DDR3 256MX16 1600MT 96 B

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager8.100

IS43TR16256BL-107MBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

4G 1.35V DDR3 256MX16 1866MT 96

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager8.946

IS43TR16256BL-107MBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

4G 1.35V DDR3 256MX16 1866MT 96

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 933MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager7.776

IS43TR16256BL-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

4G 1.35V DDR3L 256MX16 1600MT 96

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager8.226

IS43TR16256BL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

4G 1.35V DDR3L 256MX16 1600MT 96

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-TFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-TWBGA (9x13)

Auf Lager2.356

IS43TR16512A-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 8Gb (512M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)

Auf Lager8.808

IS43TR16512A-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 8Gb (512M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)

Auf Lager7.392

IS43TR16512A-125KBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 8Gb (512M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)

Auf Lager7.488

IS43TR16512A-125KBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 8Gb (512M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)

Auf Lager6.300

IS43TR16512A-15HBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 8Gb (512M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)

Auf Lager4.338

IS43TR16512A-15HBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 8Gb (512M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)

Auf Lager3.420

IS43TR16512A-15HBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 8Gb (512M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)

Auf Lager5.256

IS43TR16512A-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3
Speichergröße: 8Gb (512M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 667MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.425V ~ 1.575V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)

Auf Lager8.388

IS43TR16512AL-125KBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 8Gb (512M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)

Auf Lager281

IS43TR16512AL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 8G PARALLEL 96LFBGA

Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Serie: -
Speichertyp: Volatile
Speicherformat: DRAM
Technologie: SDRAM - DDR3L
Speichergröße: 8Gb (512M x 16)
Speicherschnittstelle: Parallel
Taktfrequenz: 800MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
Zugriffszeit: 20ns
Spannung - Versorgung: 1.283V ~ 1.45V
Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC)
Montagetyp: Surface Mount
Paket / Fall: 96-LFBGA
Lieferantengerätepaket: 96-LFBGA (10x14)

Auf Lager1.405

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