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Speicher-ICs

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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 128Mb (4M x 32)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager6.822
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager2.934
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IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager3.456
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager3.562
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
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IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager3.043
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IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager6.858
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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager5.400
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IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager8.280
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 166MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager2.358
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager6.876
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 90-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 90-TFBGA (8x13)
Auf Lager4.986
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager7.290
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Speicher

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM
  • Speichergröße: 256Mb (32M x 8)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 143MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 86-TSOP II
Auf Lager2.358
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IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager4.716
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager5.472
IS45VM16800E-75BLA2
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager8.856
IS45VM16800E-75BLA2-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.4ns
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager5.616
IS45VM16800H-75BLA1
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Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager3.526
IS45VM16800H-75BLA1-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager2.808
IS45VM16800H-75BLA2
IS45VM16800H-75BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager3.294
IS45VM16800H-75BLA2-TR
IS45VM16800H-75BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: Automotive, AEC-Q100
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - Mobile
  • Speichergröße: 128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 133MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
  • Zugriffszeit: 5.5ns
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.95V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 54-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 54-TFBGA (8x8)
Auf Lager4.302
IS46DR16128A-3DBLA1
IS46DR16128A-3DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR2
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 333MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 450ps
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 84-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 84-LFBGA (10.5x13.5)
Auf Lager3.564
IS46DR16128A-3DBLA1-TR
IS46DR16128A-3DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR2
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 333MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 450ps
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 84-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 84-LFBGA (10.5x13.5)
Auf Lager3.960
IS46DR16128A-3DBLA2
IS46DR16128A-3DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR2
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 333MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 450ps
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 84-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 84-LFBGA (10.5x13.5)
Auf Lager4.194
IS46DR16128A-3DBLA2-TR
IS46DR16128A-3DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR2
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 333MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 450ps
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 105°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 84-LFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 84-LFBGA (10.5x13.5)
Auf Lager5.076
IS46DR16128C-3DBLA1
IS46DR16128C-3DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

  • Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • Serie: -
  • Speichertyp: Volatile
  • Speicherformat: DRAM
  • Technologie: SDRAM - DDR2
  • Speichergröße: 2Gb (128M x 16)
  • Speicherschnittstelle: Parallel
  • Taktfrequenz: 333MHz
  • Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns
  • Zugriffszeit: 450ps
  • Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 84-TFBGA
  • Lieferantengerätepaket: 84-TWBGA (8x12.5)
Auf Lager3.078