Speicher-ICs

IS49FL004T-33VCE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC FLASH 4M PARALLEL 32VSOP

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Non-Volatile
• Speicherformat: FLASH
• Technologie: FLASH
• Speichergröße: 4Mb (512K x 8)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 33MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 120ns
• Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 32-TFSOP (0.488", 12.40mm Width)
• Lieferantengerätepaket: 32-VSOP

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IS49NLC18160-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (16M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (16M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (16M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (16M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-25WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 400MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (16M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (16M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (16M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 144TWBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (16M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 144TWBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (16M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC18160-33WBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 288M PARALLEL 300MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 288Mb (16M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 15ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-25EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 15ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-33BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320-33BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320A-25WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 400MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC18320A-33WBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 300MHZ

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (32M x 18)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 95°C (TC)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-TWBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (16M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (16M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (16M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (16M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-25EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (16M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 400MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 15ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-33B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (16M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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IS49NLC36160-33BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Speicher

IC DRAM 576M PARALLEL 144FCBGA

• Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• Serie: -
• Speichertyp: Volatile
• Speicherformat: DRAM
• Technologie: DRAM
• Speichergröße: 576Mb (16M x 36)
• Speicherschnittstelle: Parallel
• Taktfrequenz: 300MHz
• Schreibzykluszeit - Wort, Seite: -
• Zugriffszeit: 20ns
• Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V
• Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
• Montagetyp: Surface Mount
• Paket / Fall: 144-TFBGA
• Lieferantengerätepaket: 144-FCBGA (11x18.5)

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