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BUK9E15-60E,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2651pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager5.724
BUK9E1R6-30E,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 349W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager2.970
BUK9E1R8-40E,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 349W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.812
BUK9E1R9-40E,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager3.762
BUK9E2R3-40E,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87.8nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13160pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 293W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager4.266
BUK9E2R8-60E,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 17450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 349W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.138
BUK9E3R2-40B,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10502pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.380
BUK9E3R2-40E,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69.5nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 234W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.758
BUK9E3R7-60E,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13490pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 293W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.516
BUK9E4R4-40B,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 5V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7124pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 254W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager8.388
BUK9E4R4-80E,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 17130pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 349W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager4.878
BUK9E4R9-60E,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9710pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 234W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.272
BUK9E6R1-100E,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 17460pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 349W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager6.084
BUK9E8R5-40E,127 NXP	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK Hersteller: NXP USA Inc. Serie: TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.9nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 96W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: I2PAK Paket / Fall: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	Auf Lager7.884
BUK9GTHP-55PJTR,51 Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 28SOIC Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 28-SO Paket / Fall: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)	Auf Lager6.966
BUK9J0R9-40HX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.850
BUK9M10-30EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1249pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager5.886
BUK9M11-40EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1721pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager3.526
BUK9M120-100EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 11.5A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 119mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 882pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 44W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager5.616
BUK9M12-60EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 54A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2769pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager3.888
BUK9M14-40EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1211pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager34.788
BUK9M15-60EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 47A LFPAK33 Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 47A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2230pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 75W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager13.362
BUK9M156-100EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 695pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 36W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager3.024
BUK9M17-30EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 725pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 44W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager4.140
BUK9M19-60EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1814pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 62W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager3.924
BUK9M23-80EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 37A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2808pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager2.448
BUK9M24-40EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 798pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 44W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager15.498
BUK9M24-60EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1469pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 55W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager31.650
BUK9M28-80EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2275pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 75W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager4.302
BUK9M34-100EX Nexperia	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK Hersteller: Nexperia USA Inc. Serie: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.7nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2844pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 79W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: LFPAK33 Paket / Fall: SOT-1210, 8-LFPAK33	Auf Lager3.726

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