Transistoren

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FDMS8350LET40 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 49A (Ta), 300A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 219nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16590pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.33W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.362
FDMS8460 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 25A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 25A (Ta), 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7205pF @ 20V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager90.804
FDMS8558S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 33A (Ta), 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5118pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 78W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.546
FDMS8558SDC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 38A (Ta), 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5118pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Dual Cool™56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager28.356
FDMS8560S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Ta), 70A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 65W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.376
FDMS8570S ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 24A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 425nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2825pF @ 13V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.016
FDMS8570SDC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 25V 28A PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2825pF @ 13V FET-Funktion: Schottky Diode (Body) Verlustleistung (max.): 3.3W (Ta), 59W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Dual Cool™56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.912
FDMS86101 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12.4A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.916
FDMS86101A ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 13A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4120pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager28.386
FDMS86101DC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14.5A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3135pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Dual Cool™56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager141.540
FDMS86101E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single FET 100V 8.0 MOHM PQFN56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12.4A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.968
FDMS86102LZ ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta), 22A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1305pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 69W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.542
FDMS86103L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 12A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 12A (Ta), 49A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3710pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.202
FDMS86104 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 7A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta), 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 923pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 73W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.520
FDMS86105 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Ta), 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 645pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 48W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager43.842
FDMS86150 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 100V 16A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4065pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.884
FDMS86150ET100 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 16A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Ta), 128A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4065pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager6.354
FDMS86152 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 14A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 14A (Ta), 45A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3370pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.916
FDMS86163P ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.9A (Ta), 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4085pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager5.724
FDMS86180 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 151A 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 151A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 370µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 6V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6215pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 138W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.366
FDMS86181 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 44A POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 44A (Ta), 124A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4125pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.806
FDMS86182 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 78A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 6V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2635pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager8.640
FDMS86183 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 51A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 6V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1515pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 63W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.200
FDMS86200 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.6A (Ta), 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2715pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager7.668
FDMS86200DC ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: Dual Cool™, PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.3A (Ta), 28A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2955pF @ 75V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.2W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Dual Cool™56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.834
FDMS86200E ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single FET 150V 18.0 MOHM PQFN56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.366
FDMS86201 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 120V POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 120V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 11.6A (Ta), 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2735pF @ 60V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager42.048
FDMS86202 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 120V 8MLP Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 120V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4250pF @ 60V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager56.058
FDMS86202ET120 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 120V POWER56 Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 120V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13.5A (Ta), 102A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4585pF @ 60V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.3W (Ta), 187W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power56 Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager2.826
FDMS8622 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN Hersteller: ON Semiconductor Serie: PowerTrench® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 31W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager24.414

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