Transistoren

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FQPF8N90C ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 3.15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2080pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 60W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager2.232
FQPF8P10 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 5.3A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 2.65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 470pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 28W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager4.788
FQPF90N10V2 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 90A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 83W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.128
FQPF9N08 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 23W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager6.876
FQPF9N08L ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 80V 7A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 23W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager3.654
FQPF9N15 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 6.9A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 410pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 44W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager4.716
FQPF9N25 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 6.7A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 3.35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 45W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager8.730
FQPF9N25C ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 38W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager17.292
FQPF9N25CT ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 38W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.272
FQPF9N25CYDTU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 8.8A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430mOhm @ 4.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 38W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F-3 (Y-Forming) Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads	Auf Lager7.794
FQPF9N30 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 6A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 42W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager8.622
FQPF9N50 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 2.65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager3.006
FQPF9N50C ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 44W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager3.096
FQPF9N50CF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: FRFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 44W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager14.808
FQPF9N50CT ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 44W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager2.898
FQPF9N50CYDTU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1030pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 44W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F-3 (Y-Forming) Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads	Auf Lager6.966
FQPF9N50T ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 2.65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager7.866
FQPF9N50YDTU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 5.3A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730mOhm @ 2.65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F-3 (Y-Forming) Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads	Auf Lager6.552
FQPF9N90C ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2730pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 68W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager3.456
FQPF9N90CT ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 8A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2730pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 68W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager12.276
FQPF9P25 ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 250V 6A TO-220F Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack	Auf Lager18.588
FQPF9P25-T ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH TO-220 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.588
FQPF9P25YDTU ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 250V 6A Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 50W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-220F-3 (Y-Forming) Paket / Fall: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads	Auf Lager2.736
FQS4410TF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 10A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1280pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SOIC Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager5.292
FQT13N06LTF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager94.188
FQT13N06TF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.156
FQT1N60CTF-WS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 170pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager233.820
FQT1N80TF-WS ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223-3 Paket / Fall: TO-261-3	Auf Lager8.910
FQT2P25TF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 550mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 275mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager8.928
FQT3P20TF ON Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223 Hersteller: ON Semiconductor Serie: QFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 670mA (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 335mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223-4 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager293.802

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