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Transistoren

Datensätze 64.903
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Beschreibung
Auf Lager
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MMIX1F210N30P3

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 300V 108A MMIX

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™, Polar3™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 300V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 108A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 105A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 16200pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 24-SMPD
  • Paket / Fall: 24-PowerSMD, 21 Leads
Auf Lager7.146
MMIX1F230N20T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 200V 168A SMPD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 168A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 28000pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 600W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 24-SMPD
  • Paket / Fall: 24-PowerSMD, 21 Leads
Auf Lager3.132
MMIX1F360N15T2

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 150V 235A

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: GigaMOS™, TrenchT2™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 235A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 47500pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 680W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 24-SMPD
  • Paket / Fall: 24-PowerSMD, 21 Leads
Auf Lager7.938
MMIX1F40N110P

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™, PolarP2™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 20A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 310nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 19000pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 500W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 24-SMPD
  • Paket / Fall: 24-PowerSMD, 21 Leads
Auf Lager6.228
MMIX1F420N10T

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 100V 334A SMPD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 334A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4700pF @ 10V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 680W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 24-SMPD
  • Paket / Fall: 24-PowerSMD, 21 Leads
Auf Lager4.878
MMIX1F44N100Q3

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 1000V 30A

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: HiPerFET™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 245mOhm @ 22A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 264nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 13600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 694W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 24-SMPD
  • Paket / Fall: 24-PowerSMD, 21 Leads
Auf Lager2.556
MMIX1F520N075T2

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 75V 500A

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: GigaMOS™, TrenchT2™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 545nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 41000pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 830W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 24-SMPD
  • Paket / Fall: 24-PowerSMD, 21 Leads
Auf Lager22.440
MMIX1T132N50P3

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

SMPD HIPERFETS & MOSFETS

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: Polar™
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 63A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 66A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 18600pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 520W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: Polar3™
  • Paket / Fall: 24-PowerSMD, 22 Leads
Auf Lager7.632
MMIX1T550N055T2

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 55V 550A SMPD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: FRFET®, SupreMOS®
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 550A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 830W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 24-SMPD
  • Paket / Fall: 24-PowerSMD, 21 Leads
Auf Lager7.884
MMIX1T600N04T2

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 40V 600A SMPD

  • Hersteller: IXYS
  • Serie: FRFET®, SupreMOS®
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 600A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 40000pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 830W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 24-SMPD
  • Paket / Fall: 24-PowerSMD, 21 Leads
Auf Lager7.470
MMSF3P02HDR2
MMSF3P02HDR2

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.6A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 16V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOIC
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Auf Lager2.214
MMSF3P02HDR2G
MMSF3P02HDR2G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.6A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 16V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOIC
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Auf Lager8.748
MMSF3P02HDR2SG
MMSF3P02HDR2SG

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.6A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 16V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOIC
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Auf Lager3.580
MMSF7P03HDR2
MMSF7P03HDR2

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.8nC @ 6V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 24V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOIC
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Auf Lager3.168
MMSF7P03HDR2G
MMSF7P03HDR2G

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: P-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.3A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.8nC @ 6V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1680pF @ 24V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: 8-SOIC
  • Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Auf Lager6.930
MPF960
MPF960

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 60V 2A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Auf Lager1.650
MPF990
MPF990

ON Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 90V 2A TO-92

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 90V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): ±20V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 70pF @ 25V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 1W (Ta)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Auf Lager7.830
MSC015SMA070B
MSC015SMA070B

Microsemi

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GEN2 SIC MOSFET 700V 15MOHM TO-2

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 700V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 131A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215nC @ 20V
  • Vgs (Max): +25V, -10V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4500pF @ 700V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 400W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-3
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager6.432
MSC015SMA070S
MSC015SMA070S

Microsemi

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GEN2 SIC MOSFET 700V 15MOHM D3PA

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 700V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 166A
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: D3Pak
  • Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Auf Lager7.542
MSC025SMA120B
MSC025SMA120B

Microsemi

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM TO-

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2kV
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 103A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
  • Vgs (Max): +25V, -10V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 500W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-3
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager5.778
MSC025SMA120J
MSC025SMA120J

Microsemi

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM SOT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2kV
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 77A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232nC @ 20V
  • Vgs (Max): +25V, -10V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3020pF @ 1000V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 278W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227 (ISOTOP®)
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
Auf Lager8.982
MSC025SMA120S
MSC025SMA120S

Microsemi

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GEN2 SIC MOSFET 1200V 25MOHM D3P

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2kV
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100A
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: D3Pak
  • Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Auf Lager3.562
MSC040SMA120J
MSC040SMA120J

Microsemi

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GEN2 SIC MOSFET 1200V 40MOHM SOT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2kV
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 53A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137nC @ 20V
  • Vgs (Max): +25V, -10V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1990pF @ 1000V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 208W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227 (ISOTOP®)
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
Auf Lager5.760
MSC080SMA120J
MSC080SMA120J

Microsemi

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GEN2 SIC MOSFET 1200V 80MOHM SOT

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2kV
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 35A
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Chassis Mount
  • Lieferantengerätepaket: SOT-227 (ISOTOP®)
  • Paket / Fall: SOT-227-4, miniBLOC
Auf Lager3.114
MSC090SMA070B
MSC090SMA070B

Microsemi

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GEN2 SIC MOSFET 700V 90MOHM TO-2

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 700V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-3
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager7.830
MSC090SMA070S
MSC090SMA070S

Microsemi

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GEN2 SIC MOSFET 700V 90MOHM D3PA

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 700V
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: D3Pak
  • Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Auf Lager6.084
MSC140SMA120B
MSC140SMA120B

Microsemi

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET 1200V 25A TO-247

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Technologie: -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Lieferantengerätepaket: -
  • Paket / Fall: -
Auf Lager4.176
MSC280SMA120B
MSC280SMA120B

Microsemi

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GEN2 SIC MOSFET 1200V 280MOHM TO

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2kV
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.4A (Tc)
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 20V
  • Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 20V
  • Vgs (Max): +25V, -10V
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 1000V
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): 55W (Tc)
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Lieferantengerätepaket: TO-247-3
  • Paket / Fall: TO-247-3
Auf Lager4.266
MSC280SMA120S
MSC280SMA120S

Microsemi

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

GEN2 SIC MOSFET 1200V 280MOHM D3

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: -
  • FET-Typ: N-Channel
  • Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2kV
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Lieferantengerätepaket: D3Pak
  • Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Auf Lager2.952
MT8386M5
MT8386M5

Alpha & Omega Semiconductor

Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

MOSFET N-CH 30V

  • Hersteller: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  • Serie: -
  • FET-Typ: -
  • Technologie: -
  • Drain to Source Voltage (Vdss): -
  • Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: -
  • Vgs (Max): -
  • Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: -
  • FET-Funktion: -
  • Verlustleistung (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Lieferantengerätepaket: -
  • Paket / Fall: -
Auf Lager2.700