Transistoren

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Seite 1703/2164

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RTF025N03FRATL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 2.5V DRIVE NCH MOSFET Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TUMT3 Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager75.144
RTF025N03TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 270pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 800mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TUMT3 Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads	Auf Lager8.208
RTL020P02FRATR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 2.5V DRIVE PCH MOSFET (CORRESPON Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TUMT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager25.314
RTL020P02TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TUMT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager3.400
RTL030P02TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TUMT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager23.694
RTL035N03FRATR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 2.5V DRIVE NCH MOSFET (AEC-Q101 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TUMT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager26.400
RTL035N03TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TUMT6 Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads	Auf Lager28.200
RTM002P02T2L Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: VMT3 Paket / Fall: SOT-723	Auf Lager75.234
RTQ020N03TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.3nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager27.120
RTQ020N05TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 600mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager5.652
RTQ025P02TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager6.318
RTQ030P02TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager3.402
RTQ035N03TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 285pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager44.586
RTQ035P02TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager3.418
RTQ040P02TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 4A TSMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager4.734
RTQ045N03TR Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.25W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT6 (SC-95) Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Auf Lager24.990
RTR011P02TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.1A TSMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager7.200
RTR020N05TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager53.568
RTR020P02TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 430pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager114.306
RTR025N03TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (Max): 12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 220pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager777.492
RTR025N05TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager29.166
RTR025P02TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager28.566
RTR030N05TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 45V 3A TSMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 510pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager748.014
RTR030P02TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager45.786
RTR040N03TL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 4A TSMT3 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1W (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TSMT3 Paket / Fall: SC-96	Auf Lager811.500
RTU002P02T106 Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.25A SOT-323 Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 250mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 250mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 200mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UMT3 Paket / Fall: SC-70, SOT-323	Auf Lager7.434
RU1C001UNTCL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7.1pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UMT3F Paket / Fall: SC-85	Auf Lager298.746
RU1C001ZPTL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UMT3F Paket / Fall: SC-85	Auf Lager5.202
RU1C002UNTCL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 2.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UMT3F Paket / Fall: SC-85	Auf Lager4.950
RU1C002ZPTCL Rohm Semiconductor	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F Hersteller: Rohm Semiconductor Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 200mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150mW (Ta) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: UMT3F Paket / Fall: SC-85	Auf Lager58.614

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