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SI8465DB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 450pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-XFBGA, CSPBGA	Auf Lager8.406
SI8466EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 8V 3.6A MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (Max): ±5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 4V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-UFBGA, WLCSP	Auf Lager152.556
SI8467DB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-XFBGA, CSPBGA	Auf Lager3.580
SI8469DB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 8V 3.6A MICRO Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs (Max): ±5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 4V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-UFBGA	Auf Lager4.266
SI8472DB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 630pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Micro Foot (1x1) Paket / Fall: 4-UFBGA	Auf Lager7.884
SI8473EDB-T1-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-XFBGA, CSPBGA	Auf Lager4.140
SI8475EDB-T1-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-XFBGA, CSPBGA	Auf Lager3.366
SI8481DB-T1-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen III FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 9.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) Paket / Fall: 4-UFBGA	Auf Lager2.100
SI8483DB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1840pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.77W (Ta), 13W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-Micro Foot™ (1.5x1) Paket / Fall: 6-UFBGA	Auf Lager2.034
SI8487DB-T1-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2240pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta), 2.7W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-UFBGA	Auf Lager8.244
SI8489EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 765pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 780mW (Ta), 1.8W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-UFBGA	Auf Lager4.716
SI8497DB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1320pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.77W (Ta), 13W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-microfoot Paket / Fall: 6-UFBGA	Auf Lager25.470
SI8499DB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 16A MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.77W (Ta), 13W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-Micro Foot™ (1.5x1) Paket / Fall: 6-UFBGA	Auf Lager154.878
SI8800EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-XFBGA, CSPBGA	Auf Lager5.670
SI8802DB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 8V MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V Vgs (Max): ±5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-XFBGA	Auf Lager107.040
SI8805EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 8V MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 8V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-XFBGA	Auf Lager4.086
SI8806DB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 12V MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-XFBGA	Auf Lager8.568
SI8808DB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-UFBGA	Auf Lager376.464
SI8809EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 1.9A MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-XFBGA	Auf Lager4.608
SI8810EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 245pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-XFBGA	Auf Lager7.866
SI8812DB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 8V Vgs (Max): ±5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-UFBGA	Auf Lager4.284
SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 195pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-XFBGA	Auf Lager686.598
SI8817DB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 615pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-XFBGA	Auf Lager25.386
SI8819EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 3.7V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1.5A, 3.7V Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 6V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) Paket / Fall: 4-XFBGA	Auf Lager7.038
SI8821EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 440pF @ 15V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-XFBGA, CSPBGA	Auf Lager111.234
SI8823EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® Gen III FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 580pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 900mW (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-MICRO FOOT® (0.8x0.8) Paket / Fall: 4-XFBGA	Auf Lager5.130
SI8824EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs (Max): ±5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 500mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 4-Microfoot Paket / Fall: 4-XFBGA	Auf Lager215.514
SI8851EDB-T2-E1 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 8V Vgs (Max): ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6900pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 660mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: Power Micro Foot® (2.4x2) Paket / Fall: 30-XFBGA	Auf Lager2.196
SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager19.416
SI9407BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC Hersteller: Vishay Siliconix Serie: TrenchFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4.7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 30V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.4W (Ta), 5W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-SO Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Auf Lager20.982

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