Transistoren

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STW70N60DM2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 66A Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ DM2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 66A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5508pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 446W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.356
STW70N60DM6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL 600 V, 0.037OHM TYP., Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ DM6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 62A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.568
STW70N60M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 68A TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ II Plus FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 68A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 450W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager10.572
STW70N60M2-4 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single POWER MOSFET Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 68A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 450W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.020
STW70N65M2 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 63A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 31.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5140pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 446W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.906
STW72N60DM2AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 66A Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 66A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5508pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 446W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager11.340
STW74NF30 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET Hersteller: STMicroelectronics Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 100V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.968
STW75N20 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 75A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3260pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 190W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.196
STW75N60DM6 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL 600 V, 0.032 OHM TYP., Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ DM6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 72A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager7.146
STW75N60M6-4 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL 600 V 32 MOHM TYP. 72 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M6 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 72A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4850pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 446W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-4 Paket / Fall: TO-247-4	Auf Lager6.540
STW75NF20 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 75A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3260pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 190W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager11.976
STW75NF30 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 60A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5930pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 320W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager15.492
STW75NF30AG STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET Hersteller: STMicroelectronics Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180nC @ 100V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.700
STW77N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 69A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 69A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 34.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V Vgs (Max): 25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9800pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager13.512
STW78N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 69A TO247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 69A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 34.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9000pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 450W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.940
STW7N105K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1050V 4A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH5™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1050V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager16.812
STW7N90K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP., Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 110W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.996
STW7N95K3 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH3™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 950V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1031pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 150W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager3.852
STW7NK90Z STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 5.8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 140W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager19.164
STW80NE06-10 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 250W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager4.302
STW80NF06 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ II FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3850pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.190
STW80NF55-08 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 80A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3850pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.264
STW88N65M5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 84A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ V FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 84A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8825pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 450W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager6.498
STW88N65M5-4 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 650V 84A Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ M5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 84A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 42A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204nC @ 10V Vgs (Max): ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8825pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 450W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-4L Paket / Fall: TO-247-4	Auf Lager7.500
STW8N120K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1200V 8A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7nC @ 10V Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 505pF @ 100V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager8.928
STW8N90K5 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP., Hersteller: STMicroelectronics Serie: MDmesh™ K5 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 900V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 130W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager5.040
STW8NB100 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1KV 7.3A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 190W (Tc) Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.808
STW8NK80Z STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: SuperMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 800V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 6.2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1320pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 140W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager11.328
STW90NF20 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 83A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: STripFET™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 83A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5736pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -50°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager2.394
STW9N150 STMicroelectronics	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1500V 8A TO-247 Hersteller: STMicroelectronics Serie: PowerMESH™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 8A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.3nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3255pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 320W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-247-3 Paket / Fall: TO-247-3	Auf Lager22.632

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