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ZVN4206GVTA Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager231.822
ZVN4206GVTC Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 1A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.318
ZVN4210A Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager23.370
ZVN4210ASTOA Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager7.722
ZVN4210ASTOB Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager6.930
ZVN4210ASTZ Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 450mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 700mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager3.186
ZVN4210GTA Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager18.510
ZVN4210GTC Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 800MA SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 800mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager6.030
ZVN4306A Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager30.792
ZVN4306ASTOA Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager6.930
ZVN4306ASTOB Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager2.592
ZVN4306ASTZ Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager3.564
ZVN4306AV Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager44.574
ZVN4306AVSTOA Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager4.824
ZVN4306AVSTOB Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager8.316
ZVN4306AVSTZ Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager7.722
ZVN4306GTA Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager34.284
ZVN4306GTC Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager8.010
ZVN4306GVTA Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager29.502
ZVN4306GVTC Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager7.830
ZVN4310A Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager48.528
ZVN4310ASTOB Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager6.930
ZVN4310ASTZ Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 900mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 850mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager2.988
ZVN4310GTA Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.67A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager26.454
ZVN4310GTC Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.67A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager8.136
ZVN4424A Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 240V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 260mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: TO-92-3 Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Auf Lager90.192
ZVN4424ASTOA Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 240V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 260mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager7.560
ZVN4424ASTOB Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 240V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 260mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager2.100
ZVN4424ASTZ Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 240V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 260mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 750mW (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible) Paket / Fall: E-Line-3	Auf Lager3.042
ZVN4424GQTA Diodes Incorporated	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT223 T Hersteller: Diodes Incorporated Serie: Automotive, AEC-Q101 FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 240V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): ±40V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: SOT-223 Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA	Auf Lager3.906

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