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1N8031-GA Datenblatt

1N8031-GA Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: 1N8031-GA
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1N8031-GA

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Silicon Carbide Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

650V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.5V @ 1A

Geschwindigkeit

No Recovery Time > 500mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

0ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 650V

Kapazität @ Vr, F.

76pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-276AA

Lieferantengerätepaket

TO-276

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 250°C