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2N6027RL1G Datenblatt

2N6027RL1G Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: 2N6027RL1G, 2N6027RL1
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2N6027RL1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Spannung

40V

Verlustleistung (max.)

300mW

Spannung - Ausgang

11V

Spannung - Offset (Vt)

1.6V

Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)

10nA

Current - Valley (Iv)

50µA

Strom - Spitze

2µA

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

2N6027RL1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Spannung

40V

Verlustleistung (max.)

300mW

Spannung - Ausgang

11V

Spannung - Offset (Vt)

1.6V

Strom - Gate-to-Anode-Leckage (Igao)

10nA

Current - Valley (Iv)

50µA

Strom - Spitze

2µA

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)