Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

2N7002BKT Datenblatt

2N7002BKT Datenblatt
Total Pages: 17
Größe: 455,33 KB
NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: 2N7002BKT,115
2N7002BKT Datenblatt Seite 1
2N7002BKT Datenblatt Seite 2
2N7002BKT Datenblatt Seite 3
2N7002BKT Datenblatt Seite 4
2N7002BKT Datenblatt Seite 5
2N7002BKT Datenblatt Seite 6
2N7002BKT Datenblatt Seite 7
2N7002BKT Datenblatt Seite 8
2N7002BKT Datenblatt Seite 9
2N7002BKT Datenblatt Seite 10
2N7002BKT Datenblatt Seite 11
2N7002BKT Datenblatt Seite 12
2N7002BKT Datenblatt Seite 13
2N7002BKT Datenblatt Seite 14
2N7002BKT Datenblatt Seite 15
2N7002BKT Datenblatt Seite 16
2N7002BKT Datenblatt Seite 17

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

290mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

260mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-75

Paket / Fall

SC-75, SOT-416