86-755-83210135

Send Message

Need Help?
Send Message

Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.
Anmelden Deutsch USD
Warenkorb 0 Artikel Stückliste hochladen Sparen Sie Zeit

2SB1495 Datenblatt

2SB1495 Datenblatt
Total Pages: 4
Größe: 156,84 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: 2SB1495,Q(M, 2SB1495,Q(J
2SB1495 Datenblatt Seite 1
2SB1495 Datenblatt Seite 2
2SB1495 Datenblatt Seite 3
2SB1495 Datenblatt Seite 4
2SB1495,Q(M

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1.5mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 2A, 2V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220NIS
2SB1495,Q(J

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1.5mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

2000 @ 2A, 2V

Leistung - max

2W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220NIS