2SC5415AE-TD-E Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern:
2SC5415AE-TD-E, 2SC5415AF-TD-E
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 6.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz Gewinn 9dB Leistung - max 800mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket PCP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 6.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz Gewinn 9dB Leistung - max 800mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket PCP |
