Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

2SK3462(TE16L1 Datenblatt

2SK3462(TE16L1 Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 180,04 KB
Toshiba Semiconductor and Storage
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: 2SK3462(TE16L1,NQ)
2SK3462(TE16L1 Datenblatt Seite 1
2SK3462(TE16L1 Datenblatt Seite 2
2SK3462(TE16L1 Datenblatt Seite 3
2SK3462(TE16L1 Datenblatt Seite 4
2SK3462(TE16L1 Datenblatt Seite 5
2SK3462(TE16L1 Datenblatt Seite 6
2SK3462(TE16L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

267pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

20W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PW-MOLD

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63