AFGB40T65SQDN Datenblatt
AFGB40T65SQDN Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
AFGB40T65SQDN
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Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max 238W Schaltenergie 858µJ (on), 229µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 76nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 17.6ns/75.2ns Testbedingung 400V, 40A, 6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 131ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK-3 (TO-263-3) |
