APTM20UM09SG Datenblatt
APTM20UM09SG Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 285,29 KB
Microsemi
Website: https://www.microsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
APTM20UM09SG
![APTM20UM09SG Datenblatt Seite 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/aptm20um09sg-0001.webp)
![APTM20UM09SG Datenblatt Seite 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/aptm20um09sg-0002.webp)
![APTM20UM09SG Datenblatt Seite 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/aptm20um09sg-0003.webp)
![APTM20UM09SG Datenblatt Seite 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/aptm20um09sg-0004.webp)
![APTM20UM09SG Datenblatt Seite 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/aptm20um09sg-0005.webp)
![APTM20UM09SG Datenblatt Seite 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/aptm20um09sg-0006.webp)
![APTM20UM09SG Datenblatt Seite 7](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/aptm20um09sg-0007.webp)
Hersteller Microsemi Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 195A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 74.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 217nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 12300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 780W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket Module Paket / Fall J3 Module |