BD6563FV-LBE2 Datenblatt
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 3 Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 25V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 600mA, 600mA Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Betriebstemperatur -25°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SSOP-B |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Angetriebene Konfiguration Low-Side Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 10V ~ 25V Logikspannung - VIL, VIH - Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 600mA, 600mA Eingabetyp Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Betriebstemperatur -25°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SSOP-B |
