Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

BUK9528-100A Datenblatt

BUK9528-100A Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 77,2 KB
NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: BUK9528-100A,127
BUK9528-100A Datenblatt Seite 1
BUK9528-100A Datenblatt Seite 2
BUK9528-100A Datenblatt Seite 3
BUK9528-100A Datenblatt Seite 4
BUK9528-100A Datenblatt Seite 5
BUK9528-100A Datenblatt Seite 6
BUK9528-100A Datenblatt Seite 7
BUK9528-100A Datenblatt Seite 8
BUK9528-100A Datenblatt Seite 9

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

49A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4293pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

166W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3