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CTLDM8120-M832DS TR Datenblatt

CTLDM8120-M832DS TR Datenblatt
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Central Semiconductor Corp
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: CTLDM8120-M832DS TR, CTLDM8120-M832DS BK
CTLDM8120-M832DS TR Datenblatt Seite 1
CTLDM8120-M832DS TR Datenblatt Seite 2
CTLDM8120-M832DS TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

860mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.56nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 16V

Leistung - max

1.65W

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

TLM832DS

CTLDM8120-M832DS BK

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

860mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.56nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 16V

Leistung - max

1.65W

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

TLM832DS