Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMG8880LK3-13 Datenblatt

DMG8880LK3-13 Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 226,12 KB
Diodes Incorporated
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: DMG8880LK3-13
DMG8880LK3-13 Datenblatt Seite 1
DMG8880LK3-13 Datenblatt Seite 2
DMG8880LK3-13 Datenblatt Seite 3
DMG8880LK3-13 Datenblatt Seite 4
DMG8880LK3-13 Datenblatt Seite 5
DMG8880LK3-13 Datenblatt Seite 6
DMG8880LK3-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 11.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1289pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.68W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63