DMN1017UCP3-7 Datenblatt
DMN1017UCP3-7 Datenblatt
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Diodes Incorporated
Website: https://www.diodes.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
DMN1017UCP3-7
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 3.3V Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 5A, 3.3V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 3.3V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1503pF @ 6V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.47W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket X3-DSN1010-3 Paket / Fall 3-XDFN |
