Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMNH10H028SK3Q-13 Datenblatt

DMNH10H028SK3Q-13 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 551,76 KB
Diodes Incorporated
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: DMNH10H028SK3Q-13
DMNH10H028SK3Q-13 Datenblatt Seite 1
DMNH10H028SK3Q-13 Datenblatt Seite 2
DMNH10H028SK3Q-13 Datenblatt Seite 3
DMNH10H028SK3Q-13 Datenblatt Seite 4
DMNH10H028SK3Q-13 Datenblatt Seite 5
DMNH10H028SK3Q-13 Datenblatt Seite 6
DMNH10H028SK3Q-13 Datenblatt Seite 7
DMNH10H028SK3Q-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

55A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2245pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63