DMP21D0UFB4-7B Datenblatt
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Diodes Incorporated
Website: https://www.diodes.com/
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DMP21D0UFB4-7B
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 770mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 495mOhm @ 400mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.54nC @ 8V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 430mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket X2-DFN1006-3 Paket / Fall 3-XFDFN |