Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

DMT6009LPS-13 Datenblatt

DMT6009LPS-13 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 638,56 KB
Diodes Incorporated
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: DMT6009LPS-13
DMT6009LPS-13 Datenblatt Seite 1
DMT6009LPS-13 Datenblatt Seite 2
DMT6009LPS-13 Datenblatt Seite 3
DMT6009LPS-13 Datenblatt Seite 4
DMT6009LPS-13 Datenblatt Seite 5
DMT6009LPS-13 Datenblatt Seite 6
DMT6009LPS-13 Datenblatt Seite 7
DMT6009LPS-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.6A (Ta), 87A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

33.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1925pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI5060-8

Paket / Fall

8-PowerTDFN