EPC2014C Datenblatt
EPC2014C Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 1.207,54 KB
EPC
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
EPC2014C
|
Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ N-Channel Technologie GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 2mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V Vgs (Max) +6V, -4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 20V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Die Outline (5-Solder Bar) Paket / Fall Die |
