EPC2033 Datenblatt
EPC2033 Datenblatt
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EPC
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EPC2033
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Hersteller EPC Serie eGaN® FET-Typ N-Channel Technologie GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 31A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 9mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 5V Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1140pF @ 75V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket Die Paket / Fall Die |
