Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

FDB8444 Datenblatt

FDB8444 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 389,12 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: FDB8444
FDB8444 Datenblatt Seite 1
FDB8444 Datenblatt Seite 2
FDB8444 Datenblatt Seite 3
FDB8444 Datenblatt Seite 4
FDB8444 Datenblatt Seite 5
FDB8444 Datenblatt Seite 6
FDB8444 Datenblatt Seite 7
FDB8444 Datenblatt Seite 8
FDB8444 Datenblatt Seite 9
FDB8444

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

70A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 70A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

128nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8035pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

167W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB